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삼성전자 하반기 되면 20나노가 대표 D램 공정될 듯|(서울=연합뉴스) 현혜란 기자 = 삼성전자는 하반기에 20나노미터(nm·1nm = 10억분의 우리카지노 1m) 공정이 대표 D램 공정으로 자리잡을 것이라고 전망했다.삼성전자 메모리반도체사업부 백지호 전무는 29일 4분기 결산실적 콘퍼런스콜에서 이같이 우리카지노 말했다.20나노 공정은 삼성전자의 기존 주력 25나노 공정에 비해 30% 이상, 경쟁사들의 주력인 29나노에 비해서는 우리카지노50% 이상 생산성을 높일 수 있다.이는 300㎜의 웨이퍼로 한번에 생산할 수 있는 칩 수를 3 우리카지노리카지노0%, 우리카지노 50% 더 늘릴 수 있다는 의미다.삼성전자는 20나노 공정을 PC와 모바일 D램 이어 서버 D램으로 순차적으로 확대 적용해왔다.runran@yna.co.kr▶연합뉴스 앱 지금 바로 다운받기~ ▶ [오늘의 HOT] 유럽 피겨스케이팅 경연 우리카지노 <저작권자(c) 연합뉴스, 무단 전재-재배포 금지>
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